收藏本站
参数资料
型号： 2N4123D74Z
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数： 8/11页
文件大小： 578K
代理商： 2N4123D74Z
Test Circuits
10 K
3.0 V
275
t
1
C
1
<<<<< 4.0 pF
Duty Cycle
===== 2%
Duty Cycle
===== 2%
<<<<< 1.0 ns
- 0.5 V
300 ns
10.6 V
10
<<<<< t
1 <
<<<< 500 s
10.9 V
- 9.1 V
<<<<< 1.0 ns
0
10 K
3.0 V
275
C
1
<<<<< 4.0 pF
1N916
FIGURE 2: Storage and Fall Time Equivalent Test Circuit
FIGURE 1: Delay and Rise Time Equivalent Test Circuit
2N
412
3
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料
PDF描述
2N4123RLRP 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124RLRM 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123RL1 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123ZL1 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4123RLRM 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N4123RLRM 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TAR_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4123TF 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*