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参数资料
| 型号： | 2N4124-AMMO |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2N4124-AMMO |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4123-AMMO | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124/E7 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 2N4124/E6 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 2N4124TPE1 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124TPER1 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4124-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
| 2N4124BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124-BULKS | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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