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参数资料
| 型号： | 2N4124-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | 2N4124-AP |
Mechanical Data
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol Value
Unit
Collector-Emitter Voltage 2N4123
2N4124
V
CEO
30
25
V
Collector-Base Voltage
2N4123
2N4124
V
CBO
40
30
V
Emitter-Base Voltage
2N4123
2N4124
V
EBO
5
V
Collector Current(DC)
I
C
200
mA
Power Dissipation@T
A=25
oC
P
d
625
5.0
mW
mW/
oC
Power Dissipation@T
C=25
oC
P
d
1.5
12
W
mW/
oC
Thermal Resistance, Junction to
Ambient Air
200
oC/W
Thermal Resistance, Junction to
Case
83.3
oC/W
Operating & Storage Temperature
T
j, TSTG -55~150
oC
2N4123
2N4124
NPN Silicon General
Purpose Transistor
625mW
TO-92
A
E
B
C
D
G
Revision: A
2011/01/01
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.170
.190
4.33
4.83
B
.170
.190
4.30
4.83
C
.550
.590
13.97
14.97
D
.010
.020
0.36
0.56
E
.130
.160
3.30
3.96
G
.0
96
.104
2.44
2.64
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
1 of 6
Through Hole TO-92 Package
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Capable of 625mWatts of Power Dissipation
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
Features
Case: TO-92, Molded Plastic
Marking: Part Number
MCC
E
B
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4123-BP | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124-BP | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4123RL | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124RL1 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4124RLRA | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4124BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124-BULKS | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N4124RA | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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