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参数资料
| 型号： | 2N4124-T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2N4124-T/R |
1997 Mar 25
2
Philips Semiconductors
Product specication
NPN general purpose transistor
2N4124
FEATURES
Low current (max. 200 mA)
Low voltage (max. 25 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification,
e.g. small-signal audio-frequency applications.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
PNP complement: 2N4126.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
collector
2
base
3
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage1
3
2
MAM279
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
30
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
25
V
ICM
peak collector current
300
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
500
mW
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 1 V
120
360
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 20 V; f = 100 MHz
300
MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N4125_D11Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4125_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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