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参数资料
型号： 2N4124D74Z
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数： 11/14页
文件大小： 728K
代理商： 2N4124D74Z
Test Circuits
10 K
3.0 V
275
t
1
C
1
<<<<< 4.0 pF
Duty Cycle
===== 2%
Duty Cycle
===== 2%
<<<<< 1.0 ns
- 0.5 V
300 ns
10.6 V
10
<<<<< t
1 <
<<<< 500 s
10.9 V
- 9.1 V
<<<<< 1.0 ns
0
10 K
3.0 V
275
C
1
<<<<< 4.0 pF
1N916
FIGURE 2: Storage and Fall Time Equivalent Test Circuit
FIGURE 1: Delay and Rise Time Equivalent Test Circuit
2N
4124
/
MMBT
4124
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
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2N4124G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor
2N4124RA 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N4124T/R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
2N4124TA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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