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参数资料
| 型号： | 2N4126D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 532K |
| 代理商： | 2N4126D74Z |
Product Folder - Fairchild P/N 2N4126 - PNP General Purpose Amplifier
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2N4126
PNP General Purpose Amplifier
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Contents
General description
This device is designed for general purpose
amplifier and switch-ing applications at
collector currents to 10 A as a switch and to
100 mA as an amplifier.
Datasheet
This pagePrint version
Product status/pricing/packaging
Product
Product status Pricing* Package type Leads Package marking Packing method
2N4126TA
Full Production
$0.05
3
N/A
TAPE REEL
2N4126BU Full Production
$0.05
3
N/A
BULK
2N4126
Full Production
$0.073
TO-92
3
$Y&3
2N
4126
BULK
* 1,000 piece Budgetary Pricing
Models
Package & leads
Condition
Temperature range
Software version
Revision date
PSPICE
TO-92-3
25°C
N/A
file:///H|/imaging/BITTING/cpl/20020725_1/07252002_10/FAIR/07252002/2N4126.html (1 of 2) [Jul/26/2002 11:31:06 AM]
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4126T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| 2N4126TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4126TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4126TAR_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4126TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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