型号: | 2N4231A |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 71K |
代理商: | 2N4231A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2N4232 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N6233 | 5 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N6078 | 7 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N5051 | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N4297 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2N4232 | 制造商:Motorola 功能描述:2N4232 MOT |
2N4232A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 5A 3PIN TO-66 - Bulk |
2N4233 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk |
2N4233A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk |
2N4234 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |