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参数资料
型号： 2N4231ALEADFREE
厂商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
封装： TO-66, 2 PIN
文件页数： 1/1页
文件大小： 31K
代理商： 2N4231ALEADFREE
Power Transistors
TO-66 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(A)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
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25
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1.0
0.5
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90
55
25
150
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- -
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40
- -
0.1
0.75
1.0
10
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2.0
35
500
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40
- -
0.1
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200
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4.0
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120
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0.2
(6-December 2004)
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PDF描述
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2N4299LEADFREE 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N4910LEADFREE 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N4232LEADFREE 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
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参数描述
2N4232 制造商:Motorola 功能描述:2N4232 MOT
2N4232A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 5A 3PIN TO-66 - Bulk
2N4233 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk
2N4233A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk
2N4234 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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