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参数资料
| 型号： | 2N4239 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封装： | TO-39, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | 2N4239 |
2SJ530(L), 2SJ530(S)
Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 5 of 8
Source to Drain Voltage
VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
Channel Temperature Tch (°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
AR
(mJ)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
IAP = –15 A
VDD = –25 V
duty < 0.1 %
Rg
≥ 50
–20
0
–4
–8
–12
–16
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Pulse Test
–5 V
VGS = 0, 5 V
–10 V
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
0
ID
VDS
IAP
V(BR)DSS
VDD
EAR =
L IAP
2
2
1
VDSS
VDSS – VDD
D.U.T
Rg
IAP
Monitor
VDS
Monitor
VDD
50
Vin
–15 V
L
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
PDM
PW
T
D =
PW
T
θch – c (t) = γ s (t) θch – c
θch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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