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参数资料
| 型号： | 2N4339 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V，最大饱和漏极电流1.5mA的N沟道结型场效应管) |
| 中文描述： | N沟道场效应（最小栅源击穿电压- 50V的最大饱和漏极电流一点五毫安的N沟道结型场效应管） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2N4339 |
2N4338/4339/4340/4341
Siliconix
P-37408—Rev. D, 04-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Transfer Characteristics
500
0
–0.3
–0.2
–0.1
–0.4
–0.5
400
300
200
100
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –0.7 V
V
DS
= 10 V
25 C
1.5
0
–0.3
–0.4
–0.2
–0.1
–0.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
= –0.7 V
T
A
= –55 C
125 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
25 C
2
0
–1.2
–1.6
–2
–0.8
–0.4
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –1.5 V
25 C
V
DS
= 10 V
4
–1.2
–2
–1.6
–0.8
–0.4
0
3.2
2.4
1.6
0.8
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
= –1.5 V
T
A
= –55 C
125 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
25 C
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
200
160
120
80
40
0
2000
1600
1200
800
400
0
A
V
–
I
D
– Drain Current (mA)
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
R
L
10 V
I
D
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
V
GS(off)
= –0.7 V
–1.5 V
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= 25 C
V
GS(off)
= –0.7 V
–1.5 V
–
I
D
A
r
D
–
)
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PDF描述 |
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| 2N4341 | 功能描述:JFET N-Channel JFet General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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