参数资料
型号: 2N4388
厂商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
文件页数: 1/1页
文件大小: 84K
代理商: 2N4388
相关PDF资料
PDF描述
2N5597 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N4387 2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N3021 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N3022 3 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N3024 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相关代理商/技术参数
参数描述
2N4389 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-222AB
2N438A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | TO-5
2N439 制造商:Texas Instruments 功能描述:
2N4390 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
2N4391 功能描述:JFET N-Chan JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel