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参数资料
| 型号： | 2N4391 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最大导通电阻30Ω，夹断电流5pA的N沟道结型场效应管) |
| 中文描述： | N沟道场效应（最大导通电阻30Ω，夹断电流5pA的N沟道结型场效应管） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2N4391 |
2N/PN/SST4391 Series
4
Siliconix
E-77090—Rev. E, 11-Aug-97
Typical Characteristics
160
120
On-Resistance and Drain Current
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
On-Resistance vs. Drain Current
100
0
–10
0
200
160
0
–
I
D
r
DS
I
DSS
r
DS
@ I
D
= 1 mA, V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
100
0
1
10
100
On-Resistance vs. Temperature
200
–55
25
125
0
–15
85
I
D
= 1 mA
r
DS
changes X 0.7%/ C
Turn-On Switching
5
0
–10
4
3
2
1
0
S
t
d(on)
@
I
D
= 3 mA
t
d(on)
@
I
D
= 12 mA
t
r
approximately independent of I
D
V
DD
= 5 V, R
G
= 50
V
GS(L)
= –10 V
Turn-Off Switching
30
0
10
24
18
12
6
0
V
GS(off)
= –2 V
V
GS(off)
= –8 V
t
d(off)
independent of device V
GS(off)
V
DD
= 5 V, V
GS(L)
= –10 V
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
30
–20
24
18
12
6
0
C
f = 1 MHz
V
DS
= 0 V
0
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
T
A
– Temperature ( C)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
80
60
40
20
80
40
80
60
40
20
–2
–4
–6
–8
–35
120
80
40
5
45
65
105
–2
–4
–6
–8
2
4
6
8
–4
–8
–12
–16
S
V
GS(off)
= –2 V
–4 V
–8 V
T
A
= 25 C
t
r
V
GS(off)
= –2 V
–4 V
–8 V
t
d(off)
C
iss
C
rss
t
f
r
D
–
)
r
D
–
)
r
D
–
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N4392 | N-Channel JFET(最大导通电阻60Ω，夹断电流5pA的N沟道结型场效应管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4391_TO-18 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:Single N-Channel JFET switch |
| 2N4391-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS JFET N-CH 3PIN TO-18 - Bulk |
| 2N4391-2L | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:THE 2N4391-2 WITH SOLDER DIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:THE 2N4391-2 WITH SOLDER DIP |
| 2N4391-E3 | 功能描述:JFET 55V 5pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N4391-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTORS - JFET |
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