- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41414 > 2N4396 (SOLITRON DEVICES INC) 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N4396 |
| 厂商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/21页 |
| 文件大小： | 1128K |
| 代理商： | 2N4396 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5662 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5410 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N4896 | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5251 | 90 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
| 2N5625 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4397 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN |
| 2N4398 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4399 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N439A | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN HIGH FREQUENCY COMPUTER TRANSISTORS |
| 2N43A | 制造商:General Electric Company 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。