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参数资料
| 型号： | 2N4401 |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | NPN Medium Power Transistor (Switching)(NPN中等功率晶体管(开关)) |
| 中文描述： | npn型中等功率晶体管（开关）（npn型中等功率晶体管（开关）） |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2N4401 |
UMT4401 / SST4401 / MMST4401 / 2N4401
Transistors
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
B
B
(
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
Fig.7 Grounded emitter propagation
characteristics
1.0
10
100
1000
100
1000
10
T
(
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
I
C
/ I
B
=
10
V
CC
=
30V
10V
Fig.8 Turn-on time vs. collector
current
1.0
10
100
1000
100
500
5
10
R
(
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
30V
I
C
/ I
B
=
10
Fig.9 Rise time vs. collector
current
1.0
10
100
1000
100
1000
10
S
(
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
30V
I
C
=
10I
B1
=
10I
B2
Fig.10 Storage time vs. collector
current
1.0
10
100
1000
100
1000
10
F
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
30V
I
C
=
10I
B1
=
10I
B2
Fig.11 Fall time vs. collector
current
0.1
1.0
10
100
10
100
1
C
(
REVERSE BIAS VOLTAGE
(V)
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
Cib
Cob
Fig.12 Input / output capacitance
vs. voltage
1
10
100
1000
10
1
100
0.1
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
100MHz
200MHz
250MHz 300MHz
250MHz
Fig.13 Gain bandwidth product
1.0
10
100
1000
100
1000
C
(
10
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
Fig.14 Gain bandwidth product
vs. collector current
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