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参数资料
| 型号： | 2N4402_NL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | 2N4402_NL |
Test Circuits
FIGURE 1: Saturated Turn-On Switching Time Test Circuit
FIGURE 2: Saturated Turn-Off Switching Time Test Circuit
1.0 K
- 6.0 V
1.5 V
1.0 K
- 30 V
0
≤≤≤≤≤ 200ns
- 16 V
0
50
200
1 K
37
50
- 30 V
NOTE: BV
EBO
= 5.0 V
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
2
N
44
02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N4402TA_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4402TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4402TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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