| 型号: | 2N4403DWP |
| 厂商: | DIODES INC |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | 0.025 X 0.025 INCH, G6, DIE-2 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 34K |
| 代理商: | 2N4403DWP |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4403G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4403G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N4403L-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 2N4403L-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 2N4403NLBU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |