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参数资料
| 型号： | 2N4406 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2N4406 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4928 | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5022 | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N4929 | 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N4407 | 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N4890 | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4407 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2N4409 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Small Signal General Purpose Amplifiers & Switchs |
| 2N440A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-5 |
| 2N441 | 制造商:DELCO 功能描述: |
| 2N4410 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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