型号: | 2N4854 |
厂商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
中文描述: | 硅晶体管放大器双DIFFERNTIAL |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 54K |
代理商: | 2N4854 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N4854JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
2N4854JX | 制造商:MICROSEMI CORP-MASSACHUSE 功能描述: |
2N4854U | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP Transistor 6 Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N4854UJANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
2N4854UTX | 功能描述:TRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大):- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |