- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30436 > 2N4916 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N4916 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-106VAR, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2N4916 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3134 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N4918 | 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N4919 | 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N4900 | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N491B | UJT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4917 | 制造商:n/a 功能描述:2N4917 ASI GOLD LDS N7D4B 制造商:ELCIND 功能描述: |
| 2N4918 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4918 LEDFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4918/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors |
| 2N4918_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。