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参数资料
| 型号： | 2N4921 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | 2N4921 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1716 | 750 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1717 | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N1719 | 0.75 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1721 | 0.75 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5015 | 500 mA, 1000 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4921/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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