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参数资料
| 型号： | 2N492 |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 单结晶体管 |
| 英文描述： | UJT, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2N492 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4912R1 | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N4912.MOD | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N4912 | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N4912 | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N2989 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4920 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4920 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V |
| 2N4920G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4921 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4921/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors |
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