- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33256 > 2N4951LEADFREE (CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP) 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N4951LEADFREE |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2N4951LEADFREE |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4959 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 2N4963 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N4963 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N4963 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N497 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4952 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
| 2N4953 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4953_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N4953_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4953_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。