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参数资料
| 型号： | 2N5054 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 404K |
| 代理商： | 2N5054 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5077 | 3 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6474 | 4 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6233 | 10 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1724A | 5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5428 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5055 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-222AB |
| 2N5056 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N5057 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N5058 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5059 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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