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参数资料
| 型号： | 2N5057 |
| 厂商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封装： | TO-18, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | 2N5057 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N2353 | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 2N1507 | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5058 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5059 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5060 | 功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N5060/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N5060G | 功能描述:SCR THY 0.8A 30V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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