| 型号: | 2N5059 |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 150 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 63K |
| 代理商: | 2N5059 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1700 | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N4926 | 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5334 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5099 | 1 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5334 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5060 | 功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N5060/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N5060G | 功能描述:SCR THY 0.8A 30V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N5060RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N5060RLRA | 功能描述:SCR 30V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |