型号: | 2N5059LEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 150 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
封装: | TO-39, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 33K |
代理商: | 2N5059LEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N5681LEADFREE | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5149LEADFREE | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5154LEADFREE | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5147LEADFREE | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5335LEADFREE | 3000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N5060 | 功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
2N5060/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
2N5060G | 功能描述:SCR THY 0.8A 30V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
2N5060RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
2N5060RLRA | 功能描述:SCR 30V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |