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参数资料
型号： 2N5089
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
封装： TO-226AA, 3 PIN
文件页数： 3/6页
文件大小： 281K
代理商： 2N5089
2N5088 2N5089
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
NOISE VOLTAGE
e
n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
e
n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
CURRENT
(pA)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300
A
30
A
RS ≈ 0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS ≈ 0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
A
100
A
10
A
RS ≈ 0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500
A
100
A
10
A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
V
T
,T
OT
AL
NOISE
VOL
TAGE
(nV)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
A
100
A
30
A
10
A
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
IC = 10 mA
300
A
100
A
30
A
3.0 mA
1.0 mA
10
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
Figure 7. Noise Figure
0.5
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PDF描述
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2N5089_D74Z 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D75Z 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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