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参数资料
| 型号： | 2N5089RL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件页数： | 19/24页 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | 2N5089RL |
2N5088 2N5089
2–50
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.05
2.0
3.0
10
0.02
0.03
0.2
1.0
0.1
5.0
FE
VCE = 5.0 V
TA = 125°C
25
°C
–55
°C
0.7
0.5
0.2
0.3
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100
Figure 9. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 10. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
0.01
0
– 0.8
– 1.2
– 1.6
– 2.4
TJ = 25°C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
TJ = 25°C to 125°C
–55
°C to 25°C
R
VBE
,BASE–EMITTER
θ
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
– 0.4
– 2.0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
50
100
f T
,CURRENT–GAIN
—
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
TJ = 25°C
Ccb
Cob
Ceb
Cib
1.0
2.0
5.0
3.0
7.0 10
20
30
50 70 100
500
300
200
70
50
100
VCE = 5.0 V
TJ = 25°C
Figure 11. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5088ZL1 | 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5088RL | 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089RLREG | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089RLRM | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089 | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5089RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLRE | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLREG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLRM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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