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参数资料
| 型号： | 2N5195 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2N5195 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5306J18Z | 1200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5195 SL H | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:新产品 标准包装:50 |
| 2N5195 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, 4A, TO-126-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V |
| 2N5195_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2N5195G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5196 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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