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参数资料
| 型号： | 2N5197-E3 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71 |
| 封装： | LEAD FREE, HERMETIC SEALED PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | 2N5197-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5246 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5301 | 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5302 | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5306 | 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-98 |
| 2N5307 | 300 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-98 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5198 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5198-E3 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5199 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5199-E3 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N520 | 制造商:. 功能描述: |
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