参数资料
型号: 2N5210RLRM
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件页数: 8/35页
文件大小: 413K
代理商: 2N5210RLRM
7–13
Surface Mount Information
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SOT–363
(SC–70 6 LEAD)
0.5 mm (min)
0.4
mm
(min)
0.65
mm
0.65
mm
1.9 mm
SOD–123
mm
inches
0.91
0.036
1.22
0.048
2.36
0.093
4.19
0.165
inches
mm
0.028
0.7
0.074
1.9
0.037
0.95
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
TSOP–6
相关PDF资料
PDF描述
2N5210RLRAG 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5239 5 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N5240 5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N5247 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5245 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N5210TA 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TF 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TFR 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2