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参数资料
| 型号： | 2N5224 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2N5224 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5209 | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4953D26Z | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4953L34Z | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5225 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5226 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5226 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5227 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
| 2N5228 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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