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参数资料
| 型号： | 2N5301 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2N5301 |
IPN= 0258354 0000048 565
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5321 | 2 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5302 | 30 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5189 | 2000 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N243 | 60 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5210/D74Z-J18Z | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2N5301_TO-18 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:a very High Input Impedance N-Channel JFET amplifier |
| 2N5301_TO-72 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:a very High Input Impedance N-Channel JFET amplifier |
| 2N5302 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 30A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5302/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistor |
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