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参数资料
| 型号： | 2N5305 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2N5305 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N5323 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5336X-JQR-B | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N5336X-JQR-BR1 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N5336X-JQR-AR1 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5306 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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| 2N5306_D74Z | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N5306_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 2N5306_Q | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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