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参数资料
| 型号： | 2N5306D26Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | 2N5306D26Z |
2N5306
NPN Darlington Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC =10 mA, IB = 0
25
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 0.1
A, I
E = 025V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 0.1
A, I
C = 0
12
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 25 V, IE = 0
VCB = 25 V, IE = 0, TA = 100
°C
0.1
20
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 12 V, IC = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 5.0 V, IC = 2.0 mA
VCE = 5.0 V, IC = 100 mA
7,000
20,000
70,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 200 mA, IB = 0.2 mA
1.4
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 200 mA, IB = 0.2 mA
1.6
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 200 mA, VCE = 5.0 V
1.5
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 V, f = 1.0 MHz
10
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC =2.0 mA, VCE = 5.0 V,
f = 1.0 kHz
IC =2.0 mA, VCE = 5.0 V,
f = 10 MHz
7,000
6.0
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N5307_Q | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N5308 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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