型号: | 2N5337X-JQRR1 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 11K |
代理商: | 2N5337X-JQRR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N5337X-JQR-B | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
2N5337XR1 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
2N5339J | 5000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N5339LCC4 | 5000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N5344A | 1 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N5338 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 5A 3PIN TO-39 - Bulk |
2N5338X | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS |
2N5338X_01 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS |
2N5339 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5339_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |