- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33263 > 2N5363 (SOLITRON DEVICES INC) N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5363 |
| 厂商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2N5363 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5458 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N4224 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N5172D26Z | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5172D27Z | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5179LEADFREE | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5364 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18MA I(DSS) | TO-72 |
| 2N5365 | 制造商:GESS 制造商全称:GESS 功能描述:SILICON TRANSISTORS |
| 2N5366 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Switch Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5366 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N5366_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。