型号: | 2N5400-18 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 97K |
代理商: | 2N5400-18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2N5401A-BP | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N5401A | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N5401DCSM-JQR-AG4 | 600 mA, 150 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
2N5401DCSM | 600 mA, 150 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
2N5401H1TA | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2N5400G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5400RA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5400RLRP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5400RLRPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5400S | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |