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参数资料
| 型号： | 2N5400D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 546K |
| 代理商： | 2N5400D74Z |
Typical Characteristics (continued)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPERATURE ( C)
P
-POW
E
R
DI
SSI
P
A
TI
ON
(
m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
V
- REVERSE BIAS VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
N
C
E
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
R
C
cb
eb
2
N
54
00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N5400RA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5400RLRP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5400RLRPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5400S | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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