- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49860 > 2N5401 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N5401 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2N5401 |
1997. 5. 13
2/2
Revision No : 0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
2N5401
* Pulse Test : Pulse Width
300 S, Duty Cycle
2%.
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=-120V, IE=0
-
-50
nA
VCB=-120V, IE=0, Ta=100
-
-50
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=-3V, IC=0
-
-50
nA
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=-0.1mA, IE=0
-160
-
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
*
V(BR)CEO
IC=-1mA, IB=0
-150
-
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=-10 A, IC=0
-5
-
V
DC Current Gain
*
hFE(1)
VCE=-5V, IC=-1mA
50
-
hFE(2)
VCE=-5V, IC=-10mA
60
-
240
hFE(3)
VCE=-5V, IC=-50mA
50
-
Collector-Emitter
*
Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=-10mA, IB=-1mA
-
-0.2
V
VCE(sat)2
IC=-50mA, IB=-5mA
-
-0.5
Base-Emitter
*
Saturation Voltage
VBE(sat)1
IC=-10mA, IB=-1mA
-
-1.0
V
VBE(sat)2
IC=-50mA, IB=-5mA
-
-1.0
Transition Frequency
fT
VCE=-10V, IC=-10mA, f=100MHz
100
-
300
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
-
6
pF
Small-Signal Current Gain
hfe
VCE=-10V, IC=-1mA, f=1kHz
40
-
200
Noise Figure
NF
VCE=-5V, IC=-250 A
Rg=1k
, f=10Hz
15.7kHz
-
8
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5415LCC3-JQR-A | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415G4 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5401 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,116 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,412 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92 |
| 2N5401/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。