参数资料
型号: 2N5401RM
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-92, 3 PIN
文件页数: 6/14页
文件大小: 512K
代理商: 2N5401RM
Product Folder - Fairchild P/N 2N5401 - PNP General Purpose Amplifier
Models
Package & leads
Condition
Temperature range
Software version
Revision date
PSPICE
TO-92-3
25°C
N/A
space
space
file:///D|/fair/html/2N5401.html (2 of 2) [10/1/02 12:03:39 PM]
相关PDF资料
PDF描述
2N5457RLRF 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5457RL 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5457RLRP 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5457RLRE 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5457RLRA 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2N5401S 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401S_99 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N5401-T 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 0.6A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5401T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401TA 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2