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参数资料
| 型号： | 2N5401T1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | 2N5401T1 |
January 2010
Doc ID 16934 Rev 1
1/8
8
2N5401HR
Hi-Rel PNP bipolar transistor 150 V - 0.5 A
Features
■ Hi-Rel PNP bipolar transistor
■ Linear gain characteristics
■ ESCC qualified
■ European preferred part list - EPPL
■ Radiation level: lot specific total dose contact
marketing for specified level
Description
The 2N5401HR is a silicon planar epitaxial PNP
transistor in TO-18 and LCC-3 packages. It is
specifically designed for aerospace Hi-Rel
applications and ESCC qualified according to the
5202-014 specification. In case of conflict
between this datasheet and ESCC detailed
specification, the latter prevails.
Figure 1.
Internal schematic diagram
BVCEO
150 V
IC (max)
0.5 A
HFE at 10 V - 150 mA
> 60
Operating temperature range
-65°C to +200°C
TO-18
LCC-3
3
1
2
1
3
2
Table 1.
Device summary
Order codes
Packages
Lead finish
Marking
Type
EPPL
Packaging
2N5401HR
TO-18
Gold
Solder Dip
520201401
520201402
ESCC Flight
Strip pack
2N5401T1
TO-18
Gold
2N5401T1
Engineering
model
Strip pack
SOC5401
LCC-3
Gold
SOC5401
Engineering
model
Waffle pack
SOC5401HRB
LCC-3
Gold
Solder Dip
520201404
520201405
ESCC Flight
Yes
Waffle pack
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5401UB06 | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401UB07 | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5401 | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3019 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2369 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5401TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TAR_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TF_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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