参数资料
型号: 2N5410
厂商: SEMITRONICS CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件页数: 1/5页
文件大小: 474K
代理商: 2N5410
相关PDF资料
PDF描述
2N2163 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N2203 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N341 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4300 Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N3444 Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
相关代理商/技术参数
参数描述
2N5411 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 5A 3PIN TO-111 - Bulk
2N5412 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 15A 3PIN TO-61 - Bulk
2N5414 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
2N5414CECC 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN
2N5415 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2