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参数资料
| 型号： | 2N5411A-JQRR1 |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 封装： | TO-111, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2N5411A-JQRR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5410.MODR1 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5478 | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N5477.MOD | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N5416CECC | 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5477.MODR1 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5412 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 15A 3PIN TO-61 - Bulk |
| 2N5414 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
| 2N5414CECC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN |
| 2N5415 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5415 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
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