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参数资料
| 型号： | 2N5460 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | 2N5460 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5460R | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 2N5460R-STYLE-D | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 2N5461-STYLE-D | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 2N5461R-STYLE-E | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 2N5461-STYLE-F | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5460/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:JFET Amplifier P-Channel |
| 2N5460_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET Amplifier P−Channel − Depletion |
| 2N5460_D27Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5460_D74Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5460_D75Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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