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参数资料
| 型号： | 2N546 |
| 厂商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | 2N546 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1015E | NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N657A | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2230 | NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3766 | 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4309 | 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5460 | 功能描述:JFET P-Ch Junc FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5460/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:JFET Amplifier P-Channel |
| 2N5460_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET Amplifier P−Channel − Depletion |
| 2N5460_D27Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5460_D74Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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