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参数资料
| 型号： | 2N5484D75Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 754K |
| 代理商： | 2N5484D75Z |
5
Common Gate Characteristics
Input Admittance
100
200
300
500
700
1000
1
5
10
f -- FREQUENCY (MHz)
Y
-
I
N
P
U
T
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(m
m
h
o
s
)
V
= 15V
V
= 0
GS
DS
(CG)
g
igs
ig
s
b
igs
Forward Transadmittance
100
200
300
500
700
1000
1
5
10
f -- FREQUENCY (MHz)
Y
-
F
O
RWAR
D
T
R
A
N
S
F
E
R
(m
m
h
o
s
)
V
= 15V
V
= 0
GS
DS
(CG)
-b fgs
fg
s
+g
fgs
Reverse Transadmittance
100
200
300
500
700
1000
1
f -- FREQUENCY (MHz)
Y
-
R
E
VER
S
E
T
R
A
N
S
FER
(
m
hos
)
rg
s
V
= 15V
V
= 0
GS
DS
(CG)
g
rgs
- b
rgs
Output Admittance
100
200
300
500
700
1000
1
f -- FREQUENCY (MHz)
Y
-
O
U
T
P
UT
C
O
N
D
UC
TA
NC
E
(
m
h
o
s
)
V
= 15V
V
= 0
GS
DS
(CG)
og
s
b
(x 10)
OgS
g
Ogs
2N5484
/
5485
/
5486
/
MMBF5484
/
5485
/
5486
N-Channel RF Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5486D74Z | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5485J05Z | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5486J18Z | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5485J18Z | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5485L-1TA | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N5485 | 功能描述:JFET N-Chan JFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5485_D26Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D26Z_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| 2N5485_D27Z | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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