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参数资料
| 型号： | 2N5629 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 16 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | 2N5629 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6029 | 16 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5630 | 16 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6030 | 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5631 | 16 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N5633.MOD | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5630 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 16A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 NPN 120V 16A 200W BEC |
| 2N5631 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5631/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors |
| 2N5631G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5632 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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