| 型号: | 2N5639RLRA |
| 厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封装: | CASE 29, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 119K |
| 代理商: | 2N5639RLRA |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5639 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5640 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5640RLRM | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
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| 2N5640 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5639RLRAG | 功能描述:JFET 30V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2N5640 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:N-CHANNEL JFET |
| 2N5641 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon transistors UHF/VHF power transistors |
| 2N5642 | 制造商:ELCIND 功能描述: |
| 2N5643 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |