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参数资料
| 型号： | 2N5641 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2N5641 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5642 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5660 | 1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N5672 | 30 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5679 | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5642 | 制造商:ELCIND 功能描述: |
| 2N5643 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| 2N5646 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SI NPN POWER HF BJI |
| 2N5652 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 2N5653 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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